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瑞典ABB集团服务中心的简?伊斯伯格及其同事成功制备出一种人造金刚石膜，其电学性能和半导体性能不亚于现在常用的半导体硅。 据9月6日出版的《自然》杂志报道，伊斯伯格领导的研究小组采用微波等离子体化学气相沉积技术(CVD技术)，将富含碳元素的甲烷分子分解，分解后的碳原子重新组合，便形成金刚石。 纯净的金刚石其实是良好的绝缘体，但是和硅一样，如果在其中掺入少量的硼或者氮，它就会变成半导体。 伊斯伯格正是根据金刚石的这种特性，在甲烷和氢气的混合物中加入乙硼烷，从而制得掺杂了硼的金刚石。伊斯伯格指出，整个制取过程的关键在于，他们选择了工业金刚石晶体(将石墨置于高温高压条件下制得)作为衬底，有了这个衬底的“支撑”，碳原子才能整齐有序地排列起来，生成新的金刚石膜。 研究人员表示，利用这种方法制备的金刚石膜有一定的厚度，导电性能良好。 基于它做成的电子元器件，如晶体管等，功率输出及运行速度可与硅晶体管媲美。不过研究人员同时强调，即使制造工艺上的问题能得以解决，这也不代表金刚石会完全取代硅来制作微电子元器件，相反地，金刚石电子元器件将是硅电子产品的一个补充。 比如，用这种金刚石膜制作的芯片能在几百摄氏度的高温下正常工作，而硅芯片的工作温度不能超过150摄氏度，而且，金刚石电子元器件的体积可以更小，它将在硅电子产品无法应用的场合发挥无可替代的作用。 | 
