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[物理百科] 宽带隙半导体(wide-bandsemiconductor)中学物理百科

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宽带隙半导体(wide-bandsemiconductor)

宽带隙半导体(wide-bandsemiconductor)

室温下,Si的带隙为1.1eV,GaAs的带隙为1.43eV,一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体,宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件,高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

由优学物理网独家提供宽带隙半导体(wide-bandsemiconductor)中学物理百科,希望给大家提供帮助。

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