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学习可以这样来看，它是一个潜移默化、厚积薄发的过程。优学物理网编辑了物理百科知识专题：短沟道效应，希望对您有所帮助! 当金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的沟道长度L缩短到可与源和漏耗尽层宽度之和(WS WD)相比拟时，器件将发生偏离长沟道(也即L远大于WS WD)的行为，这种因沟道长度缩短而发生的对器件特性的影响，通常称为短沟道效应。由于短沟道效应使MOSFET的性能变坏且工作复杂化，所以人们希望消除或减小这个效应，力图实现在物理上是短沟道的器件，而在电学上仍有长沟道器件的特性。 上面就是为大家准备的物理百科知识专题：短沟道效应，希望同学们认真浏览，希望同学们在考试中取得优异成绩。 | 
