宽带隙半导体（wide-bandsemiconductor）中学物理百科
<p>广泛的阅读有助于学生形成良好的道德品质和健全的人格，向往真、善、美，摈弃假、恶、丑;有助于沟通个人与外部世界的联系，使学生认识丰富多彩的世界，获取信息和知识，拓展视野。快一起来阅读宽带隙半导体(wide-bandsemiconductor)中学物理百科吧~</p><p>宽带隙半导体（wide-bandsemiconductor）</p><p>宽带隙半导体(wide-bandsemiconductor)</p><p>室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。</p><p>由优学物理网独家提供宽带隙半导体(wide-bandsemiconductor)中学物理百科，希望给大家提供帮助。</p>
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