间接带隙半导体（indirectbandgapsemiconductor）物理知识大全
<p>人才源自知识，而知识的获得跟广泛的阅读积累是密不可分的。古人有书中自有颜如玉之说。杜甫所提倡的读书破万卷, 下笔如有神等，无不强调了多读书广集益的好处。这篇间接带隙半导体(indirectbandgapsemiconductor)物理知识大全，希望可以加强你的基础。</p><p>间接带隙半导体（indirectbandgapsemiconductor）</p><p>间接带隙半导体(indirectbandgapsemiconductor)</p><p>指Ge、Si和部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，价带顶位于K空间原点，而导带底并不在K空间的原点。因此，间接带隙半导体中电子不仅吸收光子还与晶格交换能量，发生非直接跃迁。伴随发射或吸收适当的声子，电子的波矢K可以改变。GaP是间接带隙半导体，其发光也是间接跃迁产生的。但如果将GaP和GaAs混合制成GaAs1-xPx晶体，则可调节x(0</p><p>感谢你阅读间接带隙半导体(indirectbandgapsemiconductor)物理知识大全。</p>
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